ICS 29.045 CCS H 80/84 团体 标准 T/CASAS 026—2023 碳化硅少数载流子寿命 测定 微波光电导衰减法 Test method for minority carrier lifetime in silicon carbide — microwave photoconductive decay 版本： V01.00 2023-06-19发布 2023-06-19实施 第三代半导体产业技术创新战略联盟 发布 全国团体标准信息平台 T/CASAS 026—2023 I 目 次 前言 ................................ ................................ ................................ ................................ ................................ .... III 引言 ................................ ................................ ................................ ................................ ................................ .... IV 1 范围 ................................ ................................ ................................ ................................ ................................ .. 1 2 规范性引用文件 ................................ ................................ ................................ ................................ .............. 1 3 术语和定义 ................................ ................................ ................................ ................................ ...................... 1 4 方法原理 ................................ ................................ ................................ ................................ .......................... 1 5 干扰因素 ................................ ................................ ................................ ................................ .......................... 3 6 仪器设备 ................................ ................................ ................................ ................................ .......................... 3 7 试样 ................................ ................................ ................................ ................................ ................................ .. 4 8 测试环境 ................................ ................................ ................................ ................................ .......................... 4 9 测试注意事项 ................................ ................................ ................................ ................................ .................. 4 仪器校准 ................................ ................................ ................................ ................................ ................... 4 测量点分布 ................................ ................................ ................................ ................................ ............... 4 10 全片扫描 ................................ ................................ ................................ ................................ ........................ 4 11 试验报告 ................................ ................................ ................................ ................................ ........................ 4 参考文献 ................................ ................................ ................................ ................................ .............................. 5 全国团体标准信息平台 T/CASAS 026—2023 III 前 言 本文件按照 GB/T 1.1—2020《标准化工作导则 第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规 定起草。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。 本文件由北京第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会（ CASAS） 制定发布，版权归 CASAS 所有，未经 CASAS许可不得随意复制；其他机构采用本文件的技术内容制定标准需经 CASAS允许；任何 单位或个人引用本文件的内容需指明本文件的标准号。 本文件主要起草单位： 山东大学、广州南砂晶圆半导体技术有限公司、 瀚天天成电子科技 (厦门)有 限公司、广东天域半导体股份有限公司 、泰科天润半导体科技（北京）有限公司 、杭州海乾半导体有限 公司、安徽长飞先进半导体有限公司 、中国科学院半导体研究所 、中电化合物半导体有限公司 、北京第 三代半导体产业 技术创新战略联盟 。 本文件主要起草人： 杨祥龙、 崔潆心、彭燕、徐现刚、来玲玲、于国建、冯淦、丁雄杰、 秋琪、林 云昊、赵海明、钮应喜、金向军 、徐瑞鹏。 全国团体标准信息平台 T/CASAS 026—2023 IV 引 言 碳化硅中的非平衡少数载流子寿命是碳化硅的一个基本特性参数，它的长短将直接影响到依靠少 数载流子来工作的半导体器件的性能，对双极型器件和 p-n结光电子等器件的电流增益、正向压降和开 关速度起着决定性作用。因此，半导体中少数载流子寿命的测量一直受到广泛的重视。目前我国以微波 光电导法测定碳化硅少数载流子寿命的标准属于空白领域， 本文件的制定对第三代半导体材料的特征 参数评价及产业应用具有较强的积极作用。 全国团体标准信息平台 T/CASAS 026—2023 1 碳化硅少数载流子寿命 测定微波光电导衰减法 1 范围 本文件描述了用微波光电导法测定碳化硅少数载流子寿命的方法。 本文件适用于少数载流子寿命为 20 ns～200 μs的碳化硅晶片的寿命 测定及质量评价 。 2 规范性引用文件 下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本 文件必不可少的条款。 其中， 注日期的引用文件， 仅该日期对应的版本 适用于本文件 ；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改