ICS29.160.30 K62 中华人民共和国国家标准 GB/T12669—2012 代替GB/T12669—1990 半 导体变流串级调速装置总技术条件 Generalspecificationforcascadespeedcontrolassembly withsemiconductorconverter 2012-06-29发布 2012-11-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会发布 目 次 前言 Ⅰ ………………………………………………………………………………………………………… 1 范围 1 ……………………………………………………………………………………………………… 2 规范性引用文件 1 ………………………………………………………………………………………… 3 术语和定义 1 ……………………………………………………………………………………………… 4 技术要求 3 ………………………………………………………………………………………………… 4.1 主要技术参数 3 ……………………………………………………………………………………… 4.2 环境条件 3 …………………………………………………………………………………………… 4.3 基本要求 6 …………………………………………………………………………………………… 5 试验 10 ……………………………………………………………………………………………………… 5.1 试验分类 10 …………………………………………………………………………………………… 5.2 试验项目 10 …………………………………………………………………………………………… 5.3 试验方法 12 …………………………………………………………………………………………… 6 标志、包装、运输、贮存 17 ………………………………………………………………………………… 6.1 标志 17 ………………………………………………………………………………………………… 6.2 包装与运输 17 ………………………………………………………………………………………… 6.3 贮存 18 …………………………………………………………………………………………………GB/T12669—2012 前 言 本标准依据GB/T1.1—2009给出的规则起草。 本标准代替GB/T12669—1990《半导体变流串级调速装置总技术条件》。 本标准与GB/T12669—1990相比主要技术变化如下: ———在范围一章中增加了“内馈混极式无刷交流电机、混极式无刷双馈交流电机”(见第1章); ———增加了“斩波器”、“逆变颠覆”术语定义(见3.6及3.14); ———增加“适配电动机额定功率、额定电压”的内容(见4.1.1~4.1.2); ———增加“斩波器单元的技术特征”的内容(见4.3.7); ———增加了“超温保护、缺相保护、逆变颠覆保护”的内容(见4.3.9); ———将“干扰与抗干扰试验”改为“EMC试验”(见4.3.13,1990版4.3.16); ———增加了“装置应具备的输入输出信号”和“装置结构与外形尺寸”内容(见4.3.16~4.3.17); ———增加了“超温保护试验”、“缺相保护试验”、“逆变颠覆保护试验”内容(见5.3.10.5~5.3.10.7); ———增加了“EMC试验”内容(见5.3.12); ———将“高、低温循环试验”、“高温存放试验”、“振动试验”、“跌落冲击试验”纳入“环境试验”项目下 (见5.3.15)。 本标准由中国电器工业协会提出。 本标准由全国电力电子学标准化技术委员会(SAC/TC60)归口。 本标准主要起草单位:广东华拿东方能源有限公司、天津电气传动设计研究所。 本标准主要起草人:张淼、董桂敏、苏勇华、刘娟。 本标准所代替标准的历次版本发布情况为: ———GB/T12669—1990。 ⅠGB/T12669—2012 半导体变流串级调速装置总技术条件 1 范围 本标准规定了半导体变流串级调速装置的术语和定义、技术要求、试验、标志、包装、运输和贮存。 本标准适用于利用半导体电力变流器调节交流绕线转子感应电动机、内馈混极式无刷交流电机和 混极式无刷双馈交流电机速度的串级调速装置(以下简称装置)。 2 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文 件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。 GB/T2900.1—2008 电工术语 基本术语 GB/T2900.33—2004 电工术语 电力电子技术 GB/T3047.1 高度进制为20mm的面板、架和柜的基本尺寸系列 GB/T3797—2005 电气控制设备 GB/T3859.1—1993 半导体变流器 基本要求的规定 GB4208—2008 外壳防护等级(IP代码) GB/T4588.1 无金属化孔单双面印制板分规范 GB/T4588.2 有金属化孔单双面印制板分规范 GB/T17626.2—2006 电磁兼容 试验和测量技术 静电放电抗扰度试验 GB/T17626.3—2006 电磁兼容 试验和测量技术 射频电磁场辐射抗扰度试验 GB/T17626.4—2008 电磁兼容 试验和测量技术 电快速瞬变脉冲群抗扰度试验 GB/T17626.5—2008 电磁兼容 试验和测量技术 浪涌(冲击)抗扰度试验 JB/T9664—1999 电控设备用无焊绕接连接一般要求及试验方法 3 术语和定义 GB/T2900.1—2008、GB/T2900.33—2004界定的以及下列术语和定义适用于本文件。 3.1 半导体变流串级调速装置 cascadespeedcontrolassemblywithsemiconductorconverter 在绕线转子感应电动机的转子电路中,以改变变流器产生的反电势的大小调节转速,并通过变流器 将转差功率回馈到交流电网或从交流电网吸收能量的串级调速装置。 3.2 低同步串级调速装置 low-synchronouscascadespeedcontrolassembly 受控电动机的转子只能向交流电网输出能量,从而实现低于同步转速运行的串级调速装置。 3.3 超同步串级调速装置 supersynchronouscascadespeedcontrolassembly 受控电动机的转子可从交流电网吸收能量,也可向交流电网输出能量,当转子从交流电网吸收能量 1GB/T12669—2012